Микроскоп электронно-ионный сканирующий Helios G4 PFIB Uxe

Helios G4 PFIB UXe: Ваш ключ к микро- и наномираам

Откройте для себя безграничные возможности исследования и модификации материалов с электронно-ионным сканирующим микроскопом Helios G4 PFIB UXe. Этот передовой прибор от «ЦЕНТР ЛАБОРАТОРНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ» станет незаменимым инструментом для ученых и инженеров, работающих в области материаловедения, нанотехнологий, электроники и многих других дисциплин. Helios G4 PFIB UXe позволяет не только детально изучать структуру и состав микро- и нанообъектов, но и проводить прецизионные манипуляции на поверхности, открывая новые горизонты для инноваций.

Многогранные возможности для передовых исследований

Helios G4 PFIB UXe — это не просто микроскоп, а комплексное решение для всестороннего анализа и модификации твердотельных образцов. Его уникальная архитектура, сочетающая сфокусированный электронный и ионный пучки, обеспечивает беспрецедентную гибкость и точность.

Основные сферы применения:

* **Прецизионные измерения:** Точное определение линейных размеров элементов микро- и нанорельефа поверхности с погрешностью до ±(1+0,04L) нм в диапазоне от 0,005 до 1000 мкм. * **Детальное исследование структуры:** Анализ кристаллографической структуры и элементного состава образцов. * **Локальная модификация поверхности:** Контролируемое травление и модификация поверхности твердотельных объектов с помощью сфокусированного пучка ионов Xe по заданной программе. * **Подготовка образцов:** Создание высококачественных поперечных срезов для последующего исследования методом просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ).

Инновационный принцип работы для максимальной эффективности

Принцип действия Helios G4 PFIB UXe основан на синергии двух мощных зондов: * **Электронный пучок:** Используется для высокоточного сканирования поверхности, визуализации рельефа и измерения его характерных размеров. * **Ионный пучок Xe:** Применяется для контролируемого локального травления материала, позволяя создавать сложные структуры или подготавливать образцы для ПЭМ. Формирование изображения происходит за счет регистрации вторичных или обратноотраженных электронов, возникающих при взаимодействии зонда с поверхностью. Увеличение микроскопа определяется соотношением размера изображения на мониторе к размеру сканируемого растра на образце.

Широкий спектр режимов работы

Helios G4 PFIB UXe предлагает разнообразные режимы для решения самых сложных задач: * Режим вторичной электронной эмиссии (SE) для топографической визуализации. * Режим детектирования обратно отраженных электронов (BSE) для анализа элементного состава. * Сканирующая просвечивающая электронная микроскопия (STEM), включая темнопольный и светлопольный режимы. * Дифракция обратно-рассеянных электронов (EBSD) для определения кристаллографической ориентации. * Картирование элементного состава, в том числе объемное с использованием послойного ионного травления.

Передовые технологии для исключительного разрешения

Для достижения максимального разрешения в Helios G4 PFIB UXe интегрированы: * **Магнитная иммерсионная линза:** Повышает разрешение при работе с детектором электронов, расположенным внутри электронной колонны. * **Регулируемый потенциал столика:** Возможность подачи дополнительного потенциала на образец в диапазоне от -4 кВ до 50 В для оптимизации условий анализа.

Конструктивные особенности и комплектация

Микроскоп выполнен в напольном исполнении и включает в себя: * **Основной блок:** Содержит электронно-оптическую систему (колонну) с полевым катодом Шоттки и монохроматором, ионную колонну с плазменным источником ионов Xe, камеру образцов с высокоточным пьезоприводом, детекторы электронов, вакуумную систему (безмасляные турбомолекулярный и магниторазрядный насосы). * **Стойка электроники:** Обеспечивает управление всеми компонентами системы. * **Рабочий стол с управляющим компьютером:** Интуитивно понятный интерфейс для управления микроскопом и обработки данных. * **Периферийное оборудование:** Отдельно стоящие форвакуумный насос, чиллер и компрессор. В состав комплекса также входят: * **Энергодисперсионный спектрометр EDAX Octane Elite Super:** Для точного элементного анализа. * **Система анализа дифракции отраженных электронов EDAX Hikari Plus (EBSD):** Для определения кристаллографической структуры. * **Манипулятор EasyLift Nanomanipulator:** Для прецизионных манипуляций внутри камеры образцов. * **Система впрыска газов:** Для осаждения Pt, W и C при подготовке образцов. * **Система плазменной очистки:** Для удаления углеводородных загрязнений с образцов и внутренних поверхностей камеры.

Программное обеспечение «XT UI»

Управление микроскопом и обработка результатов измерений осуществляются с помощью специализированного программного обеспечения «XT UI». Это ПО позволяет проводить точные измерения линейных размеров элементов рельефа по осям X и Y. * **Идентификационное наименование ПО:** XT UI * **Номер версии:** 14.5.0.3707 * **Уровень защиты ПО:** Средний (согласно Р 50.2.077-2014)

Метрологические характеристики

* **Диапазон измерений линейных размеров:** от 0,005 до 1000 мкм. * **Пределы допускаемой абсолютной погрешности измерений линейных размеров:** ±(1+0,04L) нм (где L — линейный размер в нм).

Заказать микроскоп Helios G4 PFIB UXe

Если вам необходим передовой инструмент для глубокого анализа материалов, прецизионных измерений и модификации на наноуровне, электронно-ионный сканирующий микроскоп Helios G4 PFIB UXe — ваш выбор. Мы предлагаем выгодные условия, профессиональную консультацию и полный спектр услуг, включая доставку и установку. Для получения подробной информации о **цене**, **метрологических характеристиках**, условиях **поверки** и **доставки** свяжитесь с нашими специалистами. **Телефон:** 8 (800) 511-77-51 **E-mail:** info@labcsm.ru Специалисты «ЦЕНТР ЛАБОРАТОРНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ» готовы ответить на все ваши вопросы и помочь подобрать оптимальное решение для ваших исследовательских задач.

[HYDRA_UPDATED]